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零件图片（仅供参考）
S2MHE3/5BT
规格参数
  • Vishay威世半导体原厂型号：S2MHE3/5BT
  • 制造商：Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 描述：DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1000V（1kV）
  • 电流 - 平均整流 (Io)：1.5A
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.15V @ 1.5A
  • 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)：2μs
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：1μA @ 1000V
  • 不同 Vr、F 时的电容：16pF @ 4V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DO-214AA，SMB
  • 供应商器件封装：DO-214AA（SMB）
  • 工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
  • S2MHE3/5BT，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：S2MHE3/5BT
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
  • 产品应用分类：单二极管整流器
  • 点击此处查询S2MHE3/5BT的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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