SI4196DY-T1-E3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SI4196DY-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 8A 8SO

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：TrenchFET?

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 8A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 8V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：830pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta），4.6W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-SO

SI4196DY-T1-E3，Vishay（威世）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SI4196DY-T1-E3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 8A 8SO

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询SI4196DY-T1-E3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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