SIA442DJ-T1-GE3（Vishay 威世，单端场效应管，PowerPAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Vishay威世半导体原厂型号：SIA442DJ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

系列：TrenchFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 60V

功率 - 最大值：19W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SC-70-6

供应商器件封装：PowerPAK SC-70-6 单

SIA442DJ-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SIA442DJ-T1-GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 12A SC70-6L

产品应用分类：单端场效应管

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