SIHD1K4N60E-GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SIHD1K4N60E-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：E

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：4.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.45 欧姆 @ 500mA，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：172pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：63W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TO-252AA

SIHD1K4N60E-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SIHD1K4N60E-GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询SIHD1K4N60E-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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