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零件图片（仅供参考）
SISS80DN-T1-GE3
规格参数
  • 制造商产品型号：SISS80DN-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchFET? Gen IV
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：58.3A（Ta），210A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.92 欧姆 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：122nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+12V，-8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6450pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5W（Ta），65W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerPAK? 1212-8S
  • SISS80DN-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SISS80DN-T1-GE3
  • 原始制造厂商：Vishay（威世）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询SISS80DN-T1-GE3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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