SIZF906BDT-T1-GE3（Vishay 威世，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SIZF906BDT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：TrenchFET? Gen IV

零件状态：有源

FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 15A，10V，680μ欧姆 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10V，165nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 15V，5550pF @ 15V

功率-最大值：4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerWDFN

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基本参数：

电子零件型号：SIZF906BDT-T1-GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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