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零件图片(仅供参考)
SQ3469EV-T1-GE3
规格参数
  • Vishay威世半导体原厂型号:SQ3469EV-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
  • 系列:TrenchFET
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):36 毫欧 @ 6.7A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 25μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1020pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装:6-TSOP
  • SQ3469EV-T1-GE3,Vishay(威世)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:SQ3469EV-T1-GE3
  • 原始制造厂商:Vishay(威世)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询SQ3469EV-T1-GE3的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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