SQJ960EP-T1-GE3（Vishay 威世，场效应管阵列，PowerPAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Vishay威世半导体原厂型号：SQJ960EP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 5.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：735pF @ 25V

功率 - 最大值：34W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SO-8 双

供应商器件封装：PowerPAK SO-8 Dual

SQJ960EP-T1-GE3，Vishay（威世）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SQJ960EP-T1-GE3

原始制造厂商：Vishay（威世）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

产品应用分类：场效应管阵列

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