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Vishay发布采用3.3mm平面封装低导通电阻的20V P沟道MOSFET
2012 年 11 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。
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